磷酸铁上海锂电池保护IC问题剖析

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磷酸铁上海锂电池保护IC问题剖析，磷酸铁锂电池保护IC集成电路在开发、消费和运用过程中无法防止问题，随着人们对产质量量和牢靠性请求的进步，问题剖析工作也越来越重要，经过磷酸铁锂电池保护IC问题剖析，磷酸铁锂电池保护IC的设计者能够找到设计上的缺陷、技术参数的不分歧、设计和操作上的不当等问题。问题剖析的意义主要表现：

细致的讲，磷酸铁锂电池保护IC问题剖析的主要意义表如今以下这几方面：

一.问题剖析是肯定磷酸铁锂电池保护IC失效机理的重要手腕与办法。

二.问题剖析为有效诊断问题提供了必要的信息。

三.问题剖析为设计工程师提供持续改良和改良磷酸铁锂电池保护IC设计，使之契合设计标准的需求。

四.问题剖析能够对不同测试途径的有效性停止评价，为消费测试提供必要的补充，为测试过程的优化考证提供必要的信息。

问题剖析的主要步骤和内容:

①集成电路开封:去除集成电路同时，坚持磷酸铁锂电池保护IC功用的完好性，维持die、bondpads、bondwires以至lead-frame，为下一个磷酸铁锂电池保护IC无效剖析实验做准备。

②SEM扫描镜/EDX成分剖析:资料的构造剖析/缺陷察看、元素成分常规微辨别析、正确丈量成分尺寸等。

③探针测试:经过微探针能够快速便当地取得磷酸铁锂电池保护IC内部的电信号。激光器：用微激光在磷酸铁锂电池保护IC或线的上部特定区域停止切割。

④EMMI检测:EMMI微光显微镜是一种高效率的问题剖析工具，它提供了一种高灵活度和非毁坏性的问题定位办法。它能够检测和定位十分弱的发光(可见光和近红外光)，并捕获由各种组件的缺陷和异常惹起的走漏电流。

⑤OBIRCH应用(激光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于磷酸铁锂电池保护IC内部的高阻抗与低阻抗剖析、线路走漏途径的剖析。应用OBIRCH的办法，能够有效地定位电路中的缺陷，如线中的空泛、通孔下的空泛、通孔底部的高阻区等也能有效地检测短路与漏电，是发光显微技术的有力后续补充。

⑥液晶屏热点检测：应用液晶屏检测磷酸铁锂电池保护IC漏电处的分子排列重组，在显微镜下显现不同于其它区域的斑状图像，以寻觅在实践剖析中会搅扰设计者的漏电点(问题点大于10mA)。定点/非定点磷酸铁锂电池保护IC研磨:去除液晶驱动磷酸铁锂电池保护ICPad上植入的金凸块，使Pad完整无损，有利于后续剖析和rebonding。

⑦X-Ray无损检测:检测磷酸铁锂电池保护IC磷酸铁锂电池保护IC包装中的各种缺陷，如剥离、爆裂、空泛、布线的完好性，PCB在制造过程中可能存在一些缺陷，如对齐不良或桥接、开路、短路或异常衔接的缺陷，包装中的锡球的完好性。

⑧SAM(SAT)超声波探伤可对磷酸铁锂电池保护IC封装内部的构造停止非毁坏性的检测，有效检测水分和热能惹起的各种毁坏，如O晶元面脱层、O锡球、晶元或填充剂中的缝隙、O封装资料内部的气孔、O各种孔如晶元接合面、锡球、填充剂等。

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